في سيول، أعلنت شركة SK هايينيكس عن جيل جديد من حلول الذاكرة المخصصة للبنى التحتية للذكاء الاصطناعي خلال مشاركتها في منتدى Dell Technologies 2026 (DTF 2026) الذي استضافه مركز كويكس في 25 أغسطس 2026. وكشفت الشركة الكورية عن شرائح HBM4 وHBM4E إلى جانب طيف واسع من ذواكر الخوادم ومحركات أقراص الحالة الصلبة للمؤسسات والعملاء، في خطوة تهدف إلى توسيع محفظتها عبر طبقات الذاكرة من مسرّعات الذكاء الاصطناعي إلى مراكز البيانات وصولاً إلى الحواسيب الشخصية.
الحدث، الذي يُعد محطة تقنية إقليمية تنظمها شركة Dell Technologies، شكّل منصة لعرض تعميق الشراكة بين الجانبين. فبعد حضور SK هايينيكس المتواصل لفعاليات دِل منذ 2023، جاء ظهورها في سيول ليؤكد مضيها في تنفيذ استراتيجية “الذاكرة الشاملة للذكاء الاصطناعي” التي تراهن على تكامل المنتجات عبر سلسلة القيمة، وتعزيز موقعها في سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي عالمياً.
وبرزت ضمن العروض شرائح HBM بوصفها ذاكرة محورية لرقائق الذكاء الاصطناعي عالية الأداء. وقدمت الشركة HBM3E إلى جانب الجيلين التاليين HBM4 وHBM4E، وهي شرائح تعتمد تكديس عدة رقائق DRAM عمودياً لرفع السرعة والسعة، وتُستخدم في المسرّعات وأنظمة التدريب والاستدلال المتقدمة.
وفي شريحة الذاكرة الموجهة لخوادم الذكاء الاصطناعي، عرضت SK هايينيكس وحدة SOCAMM2 بسعة 192 غيغابايت، المصممة لرفع كفاءة الطاقة واستغلال الحيّز داخل الخوادم. وتستند هذه الوحدة إلى LPDDR5X المصنعة بتقنية 1cnm، وكانت الشركة قد أعلنت خططاً لإنتاجها على نطاق واسع بهذه المواصفات.
كما كشفت الشركة عن مجموعة مخصصة لمراكز البيانات في مجال أقراص الحالة الصلبة للمؤسسات (eSSD)، شملت PEB210 E1.S الداعمة للتبريد المباشر بالسوائل (Direct Liquid Cooling)، وPS1110 E3.S ذات السعة العالية واستهلاك الطاقة المنخفض، وPS1101 E3.S القائمة على QLC. واستُكملت المنظومة بعرض نماذج للخوادم من فئة DRAM، منها 256GB 3DS RDIMM و128GB MRDIMM و64GB RDIMM التي تعتمد تقنية التصنيع 1c من الجيل السادس بدقة 10 نانومتر تقريباً. وظهرت أيضاً وحدة CMM-DDR5 المبنية على واجهة CXL بجيلها الثاني لتوسيع السعة وعرض الحزمة بين الذاكرة والمعالج.
ولتعزيز الطابع التطبيقي للابتكارات، نُظم جناح العرض على هيئة رف خوادم فعلي مع شاشات لمس تشرح مواقع توظيف كل منتج داخل النظام. وقُسمت الحلول إلى أربع مجموعات: HBM، وAI DRAM، وAI NAND، وAI Reality، بما يوضح كيف تتكامل منتجات الشركة عبر طبقات التخزين والذاكرة للحوسبة المعتمدة على الذكاء الاصطناعي. وفي فئة AI DRAM عُرضت منتجات مثل SOCAMM2 و3DS RDIMM وRDIMM وCSODIMM وLPCAMM2 وLPDDR5X وGDDR7، بينما تضمنت فئة AI NAND أقراص PS1101 E3.S وPEB210 E1.S وPEB210 M.2 وPCB01 وPVF01 وPQF02A·PQF02 وPQC21، لتغطية احتياجات المؤسسات والعملاء النهائيين على حد سواء.
وأبرزت SK هايينيكس التعاون العملي مع Dell عبر عرض خادم R770 مصحوباً بمنتجين مُعتمدين من الشركة الكورية ضمن النظام هما 6400MT/s DDR5 RDIMM وPS1010 E3.S، ما أتاح للزوار متابعة كيفية توظيف الذاكرة والتخزين فعلياً داخل بنية خادم قياسية.
وتضمن برنامج المنتدى كلمة رئيسية ألقتها جو يونغ بيو، نائب رئيس SK هايينيكس، بعنوان “المحرّك غير المرئي: التقنية التي تُتمّ عصر الذكاء الاصطناعي”، شددت فيها على أن الذاكرة باتت محدِّداً مركزياً للأداء عبر طبقات المنظومة من التخزين إلى المعالجة، مؤكدةً استعداد الشركة لمواصلة الابتكار استجابةً لاتساع استخدامات الذكاء الاصطناعي.
وفي جلسات متخصصة، عُرضت ملامح استراتيجية أقراص SSD الموجهة لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي وللذكاء الاصطناعي على الأجهزة (On-Device AI) مثل الحواسيب المزودة بقدرات ذكاء اصطناعي، مع التركيز على رفع كفاءة eSSD في مراكز البيانات ورسم اتجاهات الجيل التالي من cSSD لهذه الفئة الجديدة من الحواسيب.
يعكس هذا الحضور اتساع المنافسة في صناعة الذاكرة من تركزها السابق على HBM إلى دوائر أوسع تشمل DRAM للخوادم، وأقراص SSD عالية السعة، وذاكرة منخفضة الاستهلاك، وأشكال فيزيائية جديدة. فكلما ارتفع أداء الحوسبة، ازدادت الحاجة إلى تدفقات بيانات أسرع وتخزين أكفأ واستهلاك طاقة أدنى، وهي معايير تمسك الذاكرة بمفاتيحها.
ورغم أن الإعلان صدر من كوريا الجنوبية، فإن اتساع الاستثمار العالمي في البنى التحتية الرقمية يجعل ابتكارات الذاكرة المخصصة للذكاء الاصطناعي محط متابعة في أسواق عدة، بينها المنطقة الخليجية التي تشهد طلباً متنامياً على مراكز البيانات والخدمات السحابية. وفي هذا السياق، يبرز رهان SK هايينيكس على توسيع شراكاتها مع شركات تقنية عالمية مثل Dell وتطوير محفظة تمتد من HBM إلى DRAM وNAND للحواسيب والخوادم، باعتباره توجهاً يعكس مسار الصناعة نحو حلول متكاملة تغطي احتياجات منظومات الذكاء الاصطناعي من الأطراف إلى السحابة.
